硅壓力傳感器是一種在汽車車用壓力傳感器、氣壓計、醫(yī)療設(shè)備、風(fēng)力控制、空氣流量計、呼吸器和通風(fēng)機(jī)等方面硅壓力傳感器都有著廣泛的應(yīng)用。硅壓力傳感器技術(shù)雖然在不斷的發(fā)張當(dāng)中，但是在發(fā)展的當(dāng)中硅壓力傳感器還是存在一些技術(shù)難題。
　　　　　　　　　　　　　
　　溫度對硅壓力傳感器芯片的影響非常大，主要是影響零點(diǎn)和靈敏度，產(chǎn)生漂移的根本原因在：在工藝制作中，組成惠斯登電橋的四個電阻條的表面摻雜濃度和擴(kuò)散電阻條寬度不可能完全一致，致使四個電阻的阻值不完全相等，溫度系數(shù)不相等，導(dǎo)致當(dāng)輸入壓力為0時，電橋輸出不為0，同時該輸出隨溫度的變化而發(fā)生漂移，即零點(diǎn)溫度漂移；半導(dǎo)體的溫度特性導(dǎo)致壓阻系數(shù)隨溫度變化，導(dǎo)致壓力靈敏也隨溫度發(fā)生漂移。此外，后道工序的芯片與玻璃的靜電封裝、粘接、硅油及容腔設(shè)計等都會附加溫度影響。綜上因素，對封裝后的壓力傳感器的補(bǔ)償包括零點(diǎn)偏移校準(zhǔn)、零點(diǎn)溫度漂移補(bǔ)償和靈敏度溫度補(bǔ)償。

　　一般是在壓阻式壓力傳感器橋臂串并聯(lián)電阻或者熱敏電阻等方法來實(shí)現(xiàn)對已經(jīng)封裝好的壓阻式壓力傳感器的溫度補(bǔ)償。而這種方法的缺陷是只能用于精度較低的場合。由于補(bǔ)償電阻與壓力傳感器中惠斯登電橋的電阻系數(shù)不一致，測試也比較困難，所以無論哪種溫度補(bǔ)償方式都無法達(dá)到良好的效果，對于要求較高的應(yīng)用領(lǐng)域這些補(bǔ)償方法很難實(shí)現(xiàn)。因此，壓力傳感器的溫度補(bǔ)償一直是困擾用戶的難題所在，也是壓力傳感器研究和生產(chǎn)的一個關(guān)鍵技術(shù)問題。

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