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- MEMS壓力傳感器綜合性能分析
- 來(lái)源：賽斯維傳感器網(wǎng) 發(fā)表于 2012/9/3
- MEMS壓力傳感器是基于 MEMS（微機(jī)電）技術(shù)，建立在微米/納米基礎(chǔ)上，在單晶硅片上刻融制作惠斯登電橋組成的硅應(yīng)變計(jì)，這樣制造的壓力傳感器具有輸出靈敏度高，性能穩(wěn)定，批量可靠性、重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn)。下面從傳感器的制作工藝、結(jié)構(gòu)兩方面分析一下MEMS壓力傳感器綜合性能。
先進(jìn)的制作工藝
經(jīng)500℃以上高溫熔化玻璃，將硅應(yīng)變片燒結(jié)在17－4PH不銹鋼傳感彈性體上，彈性體受壓變形后產(chǎn)生電信號(hào)，由帶微處理器的數(shù)字補(bǔ)償放大電路進(jìn)行放大，經(jīng)數(shù)字軟件進(jìn)行全智能溫度補(bǔ)償，輸出標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)。在標(biāo)準(zhǔn)凈化生產(chǎn)過(guò)程中，參數(shù)嚴(yán)格受控，避免了溫度、濕度及機(jī)械疲勞的影響，具有頻響高、工作溫度寬等特點(diǎn)，保證了傳感器在工業(yè)惡劣環(huán)境中使用的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。
智能數(shù)字溫度補(bǔ)償電路將溫度變化劃分為若干小區(qū)間，每一個(gè)小區(qū)間的零位和補(bǔ)償值都被分別寫(xiě)入補(bǔ)償電路中，在使用中，這些值被寫(xiě)入受溫度影響的模擬量輸出路徑中，每一個(gè)溫度點(diǎn)都是該變送器的“校準(zhǔn)溫度”。
傳感器數(shù)字電路針對(duì)射頻、電磁干擾、浪涌電壓的工況進(jìn)行精心設(shè)計(jì)，具有抗干擾能力強(qiáng)，供電范圍寬、極性保護(hù)等特點(diǎn)。
可靠的結(jié)構(gòu)
壓力腔體采用進(jìn)口17－4PH不銹鋼整體加工，無(wú)"O"型圈、無(wú)焊縫，無(wú)泄漏隱患。傳感器過(guò)載能力為200%FS，破壞壓力為500%FS，適應(yīng)高壓力過(guò)載。針對(duì)液壓系統(tǒng)可能產(chǎn)生的瞬間壓力突變，傳感器內(nèi)置阻尼保護(hù)裝置，能有效抵御瞬間壓力沖擊。
因此，MEMS壓力傳感器具有輸出靈敏度高、性能穩(wěn)定、體積小巧、環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)、重復(fù)性好等綜合性能，這也是它廣泛應(yīng)用于各領(lǐng)域的基本原因。
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