引言

　　傳感器技術(shù)、通信技術(shù)和計(jì)算機(jī)技術(shù)已成為現(xiàn)代信息技術(shù)的三大支柱。傳感器是信息采集器件，系統(tǒng)感知、獲取和檢測(cè)信息的窗口。采用InSb-In共晶體薄膜磁阻元件制成電流傳感器是通過(guò)同時(shí)改變兩個(gè)InSb-In磁阻元件阻值的途徑來(lái)實(shí)現(xiàn)的，通過(guò)感應(yīng)電流的大小來(lái)達(dá)到對(duì)工作中馬達(dá)的控制。

　　2 銻化銦電流傳感器的結(jié)構(gòu)和工作原理

　　用銻化銦-銦共晶體薄膜磁阻元件制成MRCS的感應(yīng)磁頭(圖1)主要由導(dǎo)線(xiàn)、絕緣基片、InSb-In磁阻元件MR1和MR2、永磁體、5個(gè)引腳等組成，另外加上起屏蔽和保護(hù)作用的金屬外殼。MR1和MR2是相對(duì)放置的一對(duì)磁阻元件，其阻值大致相等，導(dǎo)線(xiàn)置于MR1和MR2的對(duì)稱(chēng)軸位置。其等效電路如圖1(b)。

　　InSb-In磁敏電阻器是該傳感器的核心，它的工作機(jī)理基于磁阻效應(yīng)。根據(jù)磁阻效應(yīng)，其電阻率變化為

　　式中：B是磁感應(yīng)強(qiáng)度;ρB和ρ0分別為有磁場(chǎng)和無(wú)磁場(chǎng)時(shí)InSb-In磁敏電阻器的電阻率;μn為載流子的遷移率。這種InSb-In共晶體薄膜磁敏電阻器的磁阻特性仍遵守InSb單晶的規(guī)律，為拋物線(xiàn)形狀的曲線(xiàn)，可用一元二次三項(xiàng)式表示為

　　RB/R0=1+αB+βB2 (2)

　　式中：B是磁感應(yīng)強(qiáng)度;RB和R0分別為有磁場(chǎng)和無(wú)磁場(chǎng)時(shí)InSb-In磁敏電阻器的電阻值;α，β是與元件有關(guān)的系數(shù)。當(dāng)導(dǎo)線(xiàn)有交流電流通過(guò)時(shí)，就會(huì)在它周?chē)�產(chǎn)生一個(gè)交變的螺旋管磁場(chǎng)，于是就會(huì)在其中間連接點(diǎn)產(chǎn)生一個(gè)交變電壓信號(hào)，然后再經(jīng)過(guò)放大和比較，從而達(dá)到對(duì)交流電流的監(jiān)測(cè)。

　　3 信號(hào)處理電路

　　信號(hào)采集電路中的InSb-In薄膜磁阻元件采用三端差分型接法如圖1(b)所示，這種信號(hào)采集電路具有輸出信號(hào)較大和較強(qiáng)抑制溫漂的能力。信號(hào)處理電路采用阻容耦合型差動(dòng)放大電路，在圖2中IC1和IC2為兩級(jí)差動(dòng)放大，改變R2，R7，R5，R8的阻值可以調(diào)整放大倍數(shù)。集成運(yùn)放的靜態(tài)電壓由R3和R6來(lái)調(diào)節(jié)，考慮到通常磁頭內(nèi)的上、下兩個(gè)磁阻元件不完全平衡，MR1與MR2的阻值會(huì)有10%以?xún)?nèi)的差別，在+5 V的工作電源下，信號(hào)采集的輸出端電壓在2.4～2.6 V。為了減少信號(hào)在磁頭與運(yùn)放之間阻容耦合中的損失，一般把集成運(yùn)放靜態(tài)電壓設(shè)置為低于2.5 V，取2 V比較合適。

　　4 電流傳感器在工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)的應(yīng)用

　　本文研制的電流傳感器已經(jīng)在馬達(dá)監(jiān)控方面獲得了實(shí)際應(yīng)用。眾所周知，馬達(dá)一旦被意外卡死而停轉(zhuǎn)，電路中流過(guò)它的電流會(huì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于正常工作的電流，而馬達(dá)長(zhǎng)時(shí)間停轉(zhuǎn)的話(huà)，很容易被燒壞，本電流傳感器就是要感知馬達(dá)停轉(zhuǎn)的電流，從而把整個(gè)供電斷開(kāi)，起到保護(hù)馬達(dá)的作用，其基本原理如圖3所示。

　　圖3中，繼電器的K1和K3為常閉狀態(tài)，閉合S1后，馬達(dá)開(kāi)始工作，產(chǎn)生一個(gè)工作電流，使電流傳感器的感應(yīng)磁頭中的MR1和MR2的阻值相應(yīng)變化，從而產(chǎn)生一個(gè)正弦電壓信號(hào);此時(shí)的信號(hào)往往很弱，不足以驅(qū)動(dòng)繼電器，于是經(jīng)過(guò)兩級(jí)放大，變成峰值較大的正弦信號(hào);再經(jīng)過(guò)比較器比較，適當(dāng)調(diào)節(jié)比較器的門(mén)限電壓，令其輸出為低電平，通過(guò)單片機(jī)的編程，使之最后輸出為低電平，此時(shí)繼電器維持常閉狀態(tài)，即馬達(dá)正常工作。當(dāng)馬達(dá)突然停轉(zhuǎn)，電流遠(yuǎn)大于正常工作的電流，此時(shí)的電流信號(hào)被MRCS感應(yīng)，產(chǎn)生的交變電壓信號(hào)經(jīng)過(guò)兩級(jí)放大后，產(chǎn)生一個(gè)峰值為1.6～2.4 V的正弦信號(hào)，再經(jīng)過(guò)比較器比較，產(chǎn)生一個(gè)方波信號(hào)，進(jìn)入單片機(jī)，輸出高電平，驅(qū)動(dòng)繼電器，讓K1和K2閉合并使得K1和K3開(kāi)路便使馬達(dá)斷電，從而達(dá)到保護(hù)馬達(dá)的作用。單片機(jī)的作用是一旦發(fā)現(xiàn)有方波輸入就輸出高電平，無(wú)方波輸入時(shí)輸出低電平，此外，還可以對(duì)單片機(jī)編程，產(chǎn)生適當(dāng)延時(shí)，就是當(dāng)馬達(dá)停轉(zhuǎn)時(shí)，延時(shí)一小段時(shí)間才輸出高電平，以防止馬達(dá)假死。本實(shí)驗(yàn)采用的單片機(jī)是ATMEL公司的AT89S52，其優(yōu)點(diǎn)是價(jià)格便宜、供貨充足、支持ISP并口編程，使用方便。

　　5 結(jié) 論

　　本文實(shí)驗(yàn)用InSb-In共晶型薄膜磁阻元件，加上偏磁系統(tǒng)以及放置于中軸線(xiàn)的導(dǎo)線(xiàn)制成磁阻型電流傳感器，設(shè)計(jì)了一個(gè)能使輸出信號(hào)有較大增幅的信號(hào)處理電路。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，其輸出電壓隨待測(cè)交流電流的增加而增大，如果待測(cè)電流在50 mA～12 A變化時(shí)，輸出電壓0.3～3.5 V，信噪比滿(mǎn)足使用要求，并且有很好的線(xiàn)性關(guān)系。該電流傳感器已用于馬達(dá)監(jiān)控方面，并在食品自動(dòng)包裝機(jī)和彈簧機(jī)上獲得了實(shí)際應(yīng)用。

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